منو
  1. آخرین فایل ها
  2. پرفروشترین فایل ها
  3. پربازدیدترین فایل ها
دانلود مقاله با عنوان سنسور لمسی سه بعدی بر پایه گرافن

دانلود مقاله با عنوان سنسور لمسی سه بعدی بر پایه گرافن

دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کپسوله کردن سه بعدی

دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کپسوله کردن سه بعدی

دانلود مقاله نانو با عنوان طیف های نوار پهن الکترون های داغ

دانلود مقاله نانو با عنوان طیف های نوار پهن الکترون های داغ

دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کشف فوق رسانایی دمای بالا

دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کشف فوق رسانایی دمای بالا

دانلود رایگان مقاله نانو Next-Generation Lipids in RNA Inter

دانلود رایگان مقاله نانو Next-Generation Lipids in RNA Inter

دانلود رایگان مقاله نانو Monolayer Solid-State Electrolyte f

دانلود رایگان مقاله نانو Monolayer Solid-State Electrolyte f

دانلود مقاله رایگان Pyrolysis of Helical Coordination Polyme

دانلود مقاله رایگان Pyrolysis of Helical Coordination Polyme

دانلود رایگان مقاله نانو Water-Dispersed Hydrophobic Au Nano

دانلود رایگان مقاله نانو Water-Dispersed Hydrophobic Au Nano

فروشگاه فایل

گروه محصول -> نانو -> acs nano

دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان جفت شدن الکترونی بین گرافن




کد محصول :3444     




دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان جفت شدن الکترونی بین گرافن و عایق توپولوژیکی

 

Electronic Coupling between Graphene and Topological Insulator Induced Anomalous Magnetotransport Properties


ABSTRACT: It has been theoretically proposed that the spin textures of surface states in a topological insulator can be directly transferred to graphene by means of the proximity effect, which is very important for realizing a two-dimensional topological insulator based on graphene. Here we report the anomalous magnetotransport properties of graphene−topological insulator Bi2Se3 heterojunctions, which are sensitive to the electronic coupling between graphene and the topological surface state. The coupling between the pz orbitals of graphene and the p orbitals of the surface states on the Bi2Se3 bottom surface can be enhanced by applying a perpendicular negative magnetic field, resulting in a giant negative magnetoresistance at the Dirac point up to about −91%. An obvious resistance dip in the transfer curve at the Dirac point is also observed in the hybrid devices, which is consistent with theoretical predictions of the distorted Dirac bands with nontrivial spin textures inherited from the Bi2Se3 surface states

 

مترجم گوگل:

چکیده: به لحاظ نظری پیشنهاد شده است که بافت اثرات سطوح سطح در یک مقره توپولوژیک می تواند به طور مستقیم با استفاده از اثر مجاورت به گرافن منتقل شود، که برای تحقق یک مقره توپولوژیکی دو بعدی بر اساس گرافن بسیار مهم است. در اینجا ما خواص مغناطیسی بی نظیر گرافیتی - توپولوژیک دی اکسیدکربن Bi2Se3 را گزارش می کنیم که حساسیت به اتصال الکترونیکی بین گرافن و سطح سطح توپولوژیکی دارند. اتصال بین ارگانیک pz گرافن و p اربیتال های سطح سطح در سطح پایه Bi2Se3 می تواند با استفاده از میدان مغناطیسی عمود بر منگنز افزایش یابد و منجر به منگنز ناپایدار منگنز غول پیکر در نقطه دیراک تا حدود 91٪ شود. یک مقاومت واضح شیب در منحنی انتقال در نقطه دیراک نیز در دستگاه های هیبریدی دیده می شود، که با پیش بینی های نظری از باند های دیارک تحریف شده با بافت های غیر چرخشی استثنایی از سطوح سطحی Bi2Se3 سازگار است

 

پیشنهاد ویژه (تخفیف های فوق العاده): با تهیه پکیج کتاب های گرافن، مجموعه کتب گرافن را یکجا داشته باشید

حجم فایل3,63 KB
نویسنده/نویسندگان:Liang Zhang
نام لاتین:Electronic Coupling between Graphene and Topological Insulator Induced Anomalous Magnetotransport Properties
نام به فارسی:دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان جفت شدن الکترونی بین گرافن و عایق توپولوژیکی
doi:10.1021/acsnano.7b02494
سال:2017
شماره صفحات:6277–6285
نوع فایل:pdf

نام ونام خانوادگي:


پست الکترونيکي:


عنوان:


پيام:


ارسال پيام به صورت شخصي
کد امنيتي:

نام فایلدانلود
دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان جفت شدن الکترونی بین گرافن و عایق توپولوژیکیدانلود
محصولات مرتبط
دانلود مقاله با عنوان سنسور لمسی سه بعدی بر پایه گرافن

دانلود مقاله با عنوان سنسور لمسی سه بعدی بر پایه گرافن

قیمت: 0 ريالکد فایل:3474
دانلود مقاله با عنوان سنسور لمسی سه بعدی بر پایه گرافن   Graphene-Based Three Dimensional Capacitive Touch Sensor for Wearable Electronics   The development of input device technology in a conformal and stretchable format is important for the advancement of various wearable electronics. Herein, we report a capacitive touch sensor with good sensing capabilities in both contact and non-contact modes, enabled by the use of graphene and a thin device geometry. This device can be integrated with highly deformable areas of the human body, such as the forearms and palms. This touch sensor detects multiple touch signals in acute recordings and recognizes the distance and shape of the approaching objects before direct contact is...
دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کپسوله کردن سه بعدی

دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کپسوله کردن سه بعدی

قیمت: 0 ريالکد فایل:3473
دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کپسوله کردن سه بعدی Saccharomyces cerevisiae در ماتریکس های سه بعدی   Three-Dimensional Encapsulation of Saccharomyces cerevisiae in Silicate Matrices Creates Distinct Metabolic States as Revealed by Gene Chip Analysis In order to design hybrid cellular/synthetic devices such as sensors and vaccines, it is important to understand how the metabolic state of living cells changes upon physical confinement within three-dimensional (3D) matrices. We analyze the gene expression patterns of stationary phase Saccharomyces cerevisiae (S. cerevisiae) cells encapsulated within three distinct nanostructured silica matrices and relate those patterns to known naturally occurring metabolic...
دانلود مقاله نانو با عنوان طیف های نوار پهن الکترون های داغ

دانلود مقاله نانو با عنوان طیف های نوار پهن الکترون های داغ

قیمت: 0 ريالکد فایل:3472
دانلود مقاله نانو با عنوان طیف های نوار پهن الکترون های داغ و حفرات در نقاط کوانتومی PbSe   Broadband Cooling Spectra of Hot Electrons and Holes in PbSe Quantum Dots Understanding cooling of hot charge carriers in semiconductor quantum dots (QDs) is of fundamental interest and useful to enhance the performance of QDs in photovoltaics. We study electron and hole cooling dynamics in PbSe QDs up to high energies where carrier multiplication occurs. We characterize distinct cooling steps of hot electrons and holes and build up a broadband cooling spectrum for both charge carriers. Cooling of electrons is slower than of holes. At energies near the band gap we find cooling times between successive electronic...
دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کشف فوق رسانایی دمای بالا

دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کشف فوق رسانایی دمای بالا

قیمت: 0 ريالکد فایل:3471
دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان کشف فوق رسانایی دمای بالا Discovery of High-Temperature Superconductivity (Tc = 55 K) in B-Doped Q-Carbon ما یک دمای انتقال (ابررسانایی) ابررسانایی (Tc) 55 کیلوگرم را در 27 درصد کربن Q-doped با B دریافت کرده ایم. این مقدار بهبود قابل توجهی نسبت به Tc 36K گزارش شده در Q-carbon doped B را نشان می دهد و بالاترین Tc را برای ابررسانایی BCS معمولی (Bardeen-Cooper-Schrieffer) در مواد کربنی فله ای نشان می دهد. Q-Carbon Doped B دارای مشخصات ابررسانای نوع II با Hc2 (0) ~ 10.4 T، مطابق با فرمیم BCS...
کلمات کلیدی:Electronic Coupling between Graphene and Topological Insulator Induced Anomalous Magnetotransport Properties , گرافن , دانلود رایگان مقاله نانو با عنوان جفت شدن الکترونی بین گرافن و عایق توپولوژیکی ,  , 

free
hit counter